型号 | SP8M10TB |
厂商 | Rohm Semiconductor |
描述 | MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC |
SP8M10TB PDF | |
代理商 | SP8M10TB |
产品目录绘图 | RRS, RSS Series 8-SOP, 8-SOIC |
特色产品 | ECOMOS? Series MOSFETs |
标准包装 | 1 |
FET 型 | N 和 P 沟道 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7A,4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 600pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SP8M10TBCT |